Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
p-channel MOS structure — MOP darinys su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal… … Radioelektronikos terminų žodynas
p-Kanal-MOS-Struktur — MOP darinys su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal… … Radioelektronikos terminų žodynas
p-channel MOS — MOP darinys su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal… … Radioelektronikos terminų žodynas
Capacite MOS — Capacité MOS La Capacité Métal Oxyde Semi conducteur est l un des composants les plus importants de la microélectronique en filière silicium. Elle fournit le canal de conduction des transistors MOSFET. La capacité MOS est par conséquent un… … Wikipédia en Français
Capacité MOS — La Capacité Métal Oxyde Semi conducteur est l un des composants les plus importants de la microélectronique en filière silicium. Elle fournit le canal de conduction des transistors MOSFET. La capacité MOS est par conséquent un élément essentiel… … Wikipédia en Français
MOP darinys su p kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal type p, f … Radioelektronikos terminų žodynas
p-канальная МОП-структура — MOP darinys su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с каналом p-типа — MOP darinys su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal… … Radioelektronikos terminų žodynas
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
CIRCUITS INTÉGRÉS — Les circuits intégrés monolithiques constituent l’approche la plus sophistiquée de la microélectronique. Leur origine technologique remonte à 1958, et leur importance économique et industrielle est devenue considérable. Description des circuits… … Encyclopédie Universelle
